Fecha de publicación: 01/05/2022
Directrices del método de ensayo de resistencia dinámica para dispositivos de conversión de energía basados en GaN HEMT (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2022.)
La norma UNE-EN IEC 63373:2022 establece directrices para el método de ensayo de resistencia dinámica de dispositivos de conversión de energía basados en GaN HEMT (High Electron Mobility Transistors). Esta norma se refiere a la evaluación del rendimiento y la fiabilidad de estos dispositivos, que son fundamentales en aplicaciones como la electrónica de potencia, la automoción y la industria.
La norma describe el procedimiento para realizar ensayos dinámicos de resistencia en dispositivos GaN HEMT, incluyendo la configuración del circuito de ensayo, los parámetros de ensayo y los métodos de medición. El objetivo es evaluar la capacidad de los dispositivos para soportar cargas y tensiones eléctricas variables, así como su respuesta a cambios en la frecuencia y el tiempo.
La norma también establece requisitos para la preparación del dispositivo antes del ensayo, incluyendo la limpieza y la calibración. Además, se definen los criterios de aceptación para los resultados del ensayo, incluyendo la precisión y la repetibilidad de las mediciones.
En resumen, la norma UNE-EN IEC 63373:2022 proporciona un marco técnico para evaluar la resistencia dinámica de dispositivos GaN HEMT, lo que es fundamental para garantizar su rendimiento y fiabilidad en aplicaciones críticas.
gracias, por fin encontre la normativa entera, lo unico que hay que hacerlo con el navegador opera gx como indica pero bueno...
gracias, es dificil de encontrar sin pagar