Fecha de publicación: 01/09/2010
Dispositivos de semiconductores. Ensayo de electromigración de intensidad constante. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
La norma UNE-EN 62415:2010, «Dispositivos de semiconductores. Ensayo de electromigración de intensidad constante», establece los requisitos para la evaluación del comportamiento de los dispositivos de semiconductor en presencia de corriente eléctrica constante. Este ensayo tiene como objetivo verificar la resistencia de los materiales y estructuras de los dispositivos a la migración electromotriz, que puede causar daños irreparables en el dispositivo.
La norma describe los procedimientos para realizar el ensayo de electromigración de intensidad constante, incluyendo la preparación del dispositivo, la instalación de los electrodos y la configuración del equipo de medida. También se establecen los parámetros de prueba, como la temperatura de ensayo, la corriente eléctrica aplicada y el tiempo de exposición.
Además, la norma especifica los requisitos para la interpretación de los resultados del ensayo, incluyendo la evaluación de la migración electromotriz y la determinación de la resistencia al daño. La norma también proporciona recomendaciones para la presentación de los resultados y la documentación de los ensayos.
La UNE-EN 62415:2010 es una norma internacional que se ha ratificado por AENOR en septiembre de 2010, lo que garantiza su compatibilidad y comparabilidad con otros productos y ensayos realizados en diferentes países. Esta norma es fundamental para la evaluación del rendimiento y la fiabilidad de los dispositivos de semiconductor, especialmente en aplicaciones críticas como la electrónica de potencia y la automatización industrial.
gracias, por fin encontre la normativa entera, lo unico que hay que hacerlo con el navegador opera gx como indica pero bueno...
gracias, es dificil de encontrar sin pagar