Fecha de publicación: 01/01/2013
Dispositivos de semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 27: Ensayo de la sensibilidad de la descarga electrostática. Modelo máquina (HBM) (Ratificada por AENOR en enero de 2013.)
La norma UNE-EN 60749-27:2006/A1:2012 establece los métodos de ensayo para evaluar la sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD) en dispositivos de semiconductores. Esta parte específica se centra en el modelo máquina (HBM), que simula una descarga electrostática mediante un cargador capacitivo.
El objetivo del ensayo es determinar la resistencia del dispositivo a la sobrecarga eléctrica y evaluar su capacidad para soportar la tensión y la corriente generadas por una descarga electrostática. El modelo máquina (HBM) consiste en un cargador capacitivo que se conecta a un condensador variable, lo que permite controlar la carga y la descarga de energía.
El ensayo se realiza mediante el siguiente procedimiento: se coloca el dispositivo en una posición específica dentro del modelo máquina (HBM), se ajusta la tensión de carga y se dispara la descarga electrostática. Se miden las características del dispositivo antes y después de la descarga, incluyendo la resistencia eléctrica, la corriente y la tensión.
La norma establece los requisitos para la realización del ensayo, incluyendo la preparación del dispositivo, la configuración del modelo máquina (HBM), el procedimiento de medición y la interpretación de los resultados. También se proporcionan recomendaciones para la evaluación de los datos y la toma de decisiones basadas en los resultados.
La norma UNE-EN 60749-27:2006/A1:2012 es una guía práctica para los fabricantes y los usuarios de dispositivos de semiconductores que desean evaluar y mejorar la resistencia a descargas electrostáticas de sus productos.
gracias, por fin encontre la normativa entera, lo unico que hay que hacerlo con el navegador opera gx como indica pero bueno...
gracias, es dificil de encontrar sin pagar