Fecha de publicación: 01/09/2008
Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 38: Método de ensayo del error transitorio para dispositivos semiconductores con memoria. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2008.)
La norma UNE-EN 60749-38:2008 establece un método de ensayo para evaluar el error transitorio en dispositivos semiconductores con memoria. Esta norma es aplicable a todos los tipos de dispositivos semiconductores que contengan memoria, incluyendo memorias flash, EPROM y EEPROM.
El objetivo del método de ensayo descrito en esta norma es medir la capacidad del dispositivo semiconductor para recuperar su estado después de una interrupción en el suministro de energía. El error transitorio se define como la diferencia entre el valor esperado y el valor real del contenido de memoria después de la interrupción.
El método de ensayo implica la aplicación de un ciclo de escritura seguido de una interrupción en el suministro de energía, y posteriormente, la lectura del contenido de memoria. El error transitorio se calcula como la diferencia entre el valor leído después de la interrupción y el valor esperado.
La norma establece los requisitos para la preparación del dispositivo semiconductor antes del ensayo, incluyendo la selección de las condiciones ambientales y el calibrado de los equipos de medición. También se especifican los procedimientos para realizar el ensayo, incluyendo la aplicación del ciclo de escritura, la interrupción en el suministro de energía y la lectura del contenido de memoria.
La norma UNE-EN 60749-38:2008 es un documento importante para garantizar la calidad y fiabilidad de los dispositivos semiconductores con memoria, ya que permite evaluar su capacidad para recuperar su estado después de una interrupción en el suministro de energía.
gracias, por fin encontre la normativa entera, lo unico que hay que hacerlo con el navegador opera gx como indica pero bueno...
gracias, es dificil de encontrar sin pagar