Fecha de publicación: 01/09/2010
Dispositivos de semiconductores. Ensayo de portadora caliente en transistores MOS (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
La norma UNE-EN 62416:2010, «Dispositivos de semiconductores. Ensayo de portadora caliente en transistores MOS», establece los requisitos y procedimientos para la evaluación del rendimiento y fiabilidad de transistores MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) mediante el ensayo de portadora caliente.
El objetivo principal de este ensayo es evaluar la capacidad del transistor para soportar condiciones de alta temperatura, lo que es crítico en aplicaciones electrónicas donde se requiere una estabilidad y durabilidad óptimas. El ensayo consiste en someter el transistor a una corriente constante de portadora caliente, que puede variar entre 10 mA y 100 mA, durante un período de tiempo determinado (generalmente 30 minutos).
La norma establece los requisitos para la preparación del equipo y los materiales necesarios para el ensayo, incluyendo la selección de las condiciones de temperatura y humedad. También se definen los parámetros que deben ser medidos durante el ensayo, como la corriente de portadora, la tensión de gate y la tensión de fuente.
Además, la norma especifica los procedimientos para la interpretación de los resultados del ensayo, incluyendo la evaluación de la estabilidad del transistor y la detección de cualquier falla o defecto. La norma también establece los límites para la aceptación o rechazo de los transistores MOS en función de sus resultados.
En resumen, la norma UNE-EN 62416:2010 proporciona una guía práctica y detallada para el ensayo de portadora caliente en transistores MOS, lo que es fundamental para garantizar la calidad y fiabilidad de los dispositivos electrónicos.
gracias, por fin encontre la normativa entera, lo unico que hay que hacerlo con el navegador opera gx como indica pero bueno...
gracias, es dificil de encontrar sin pagar