Fecha de publicación: 01/09/2010
Dispositivos semiconductores. Ensayos de iones móviles para transistores de semiconductores de óxido metálico de efecto de campo (MOSFET) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
La norma UNE-EN 62417:2010, «Dispositivos semiconductores. Ensayos de iones móviles para transistores de semiconductores de óxido metálico de efecto de campo (MOSFET)», establece los procedimientos y métodos para evaluar la resistencia a los iones móviles en transistores MOSFET. Esta norma se aplica a dispositivos MOSFET utilizados en aplicaciones electrónicas, como circuitos integrados, microprocesadores y memoria flash.
La norma describe los ensayos de iones móviles que deben ser realizados para determinar la resistencia a la inyección de corriente de iones en el semiconductor. Estos ensayos incluyen la medición de la tensión y la corriente en función del tiempo, utilizando un equipo de medida adecuado.
La norma también establece los requisitos para la preparación y el tratamiento de las muestras, así como las condiciones de prueba y los procedimientos de análisis de datos. Además, se proporcionan recomendaciones para la interpretación de los resultados y la evaluación de la resistencia a los iones móviles.
La norma UNE-EN 62417:2010 es una herramienta importante para garantizar la calidad y la fiabilidad de los dispositivos MOSFET en aplicaciones electrónicas. Su aplicación permite evaluar la resistencia a los iones móviles y reducir el riesgo de fallos y daños en los dispositivos.
gracias, por fin encontre la normativa entera, lo unico que hay que hacerlo con el navegador opera gx como indica pero bueno...
gracias, es dificil de encontrar sin pagar